
SG-H22 고온-압력 칩
2. 높은 신뢰성
3. 넓은 온도 범위: -55도 ~ 300도
SG{0}}H22 시리즈 압력 칩은 SOI 기술을 기반으로 한 실리콘 압저항 압력{2}}감응 칩으로 최대 300도의 고온을 견딜 수 있습니다. 이 일련의 칩은 압저항 감지 원리를 활용합니다. 압력-에 민감한 다이어프램이 압력에 따라 변형되면 민감한 다이어프램의 저항 변화가 입력 압력의 크기를 나타냅니다. 정전압/정전류 소스 여기에서 생성된 출력 전압은 입력 압력과 선형 관계를 갖습니다.

SG-H22 시리즈 칩은 높은 안정성, 높은 반복성 및 넓은 작동 온도 범위가 특징입니다. 다양한 패키징 형태에 적합하며 다양한 응용 환경에 따라 절대압(A) 또는 게이지압(G) 칩을 제공할 수 있어 디지털 보상 및 저항 네트워크 보상에 적용 가능합니다.
- 높은 반복성
- 높은 신뢰성
- 넓은 온도 범위: -55도 ~ 300도
- 기상 측정
- 대기 데이터 시스템
- 석유 시추
- 산업용 측정 및 제어

성능사양
|
표준 범위 |
|||
|
10M0 |
0 ~ 10Mpa |
G/A |
1500psi |
|
20M0 |
0 ~ 20Mpa |
G/A |
3000psi |
|
28M0 |
0~28Mpa |
G/A |
4000psi |
|
45M0 |
0 ~ 45Mpa |
G/A |
6500psi |
|
70M0 |
0 ~ 70Mpa |
G/A |
10000psi |
|
과부하 압력 |
2회 |
정격압력 |
|
성능 매개변수
|
매개변수 |
최소 |
전형적인 |
맥스 |
단위 |
표시 |
|
반복성 |
0.01 |
0.03 |
0.05 |
±%FSO |
2 |
|
선형성 |
0.01 |
0.15 |
0.2 |
±%FSO |
1 |
|
히스테리시스 |
0.01 |
0.03 |
0.05 |
±%FSO |
2 |
|
영점 온도 히스테리시스 |
0.01 |
0.1 |
0.2 |
±%FSO |
2 3 |
|
감도 온도 히스테리시스 |
0.01 |
0.1 |
0.2 |
±%FSO |
2 3 |
|
전체 범위 범위 |
80 |
100 |
120 |
mV |
2 3 |
|
제로 온도 계수 TCO |
-500 |
-100 |
500 |
ppm/도 |
2 |
|
감도 온도 계수 TCS |
-1200 |
-950 |
-800 |
ppm/도 |
|
|
브리지 저항 온도 계수 TCR |
1400 |
1600 |
1800 |
ppm/도 |
2 |
특성 매개변수
|
자극 |
단위 |
|
2~10 |
V |
|
0.2~2 |
엄마 |
|
브리지 저항 |
2kΩ - 5kΩ |
|
작업 온도 |
-55도 ~ 300도 |
|
무게 |
0.03~0.05g |
|
브릿지 형태 |
반 개방형 브리지 |
|
적합한 매체 |
깨끗하고 건조하며 부식성 가스가 없음 |
차원
|
압력 범위 |
전반적인 차원 |
|
10Mpa~70Mpa |
2.5×2.5×2.4 |
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